设备材料

在过去几年里,SiC(碳化硅)一直是半导体行业最炙手可热的领域之一,特别是在电动汽车(EV)和工业应用的推动下,市场规模迅速扩大。然而,随着全球汽车市场增长放缓,工业市场需求疲软,以及SiC供应链的技术升级挑战加剧,2025年将成为这一产业发展的关键一年。
无论设备的用途是什么,多个团队都需要使用产品生命周期管理工具,将所有组件和功能整合在一起。
SiC和GaN的击穿电场、电子迁移率、饱和速度和热导率都远高于Si——所有这些因素都能提高开关频率和功率密度。但是,高开关频率会导致更多的损耗和更低的场效电晶体(FET)效率,因此最佳化功率元件的品质因数(FoM),即Rds(on) ×Q g,或最佳化通道电阻和闸极电荷以降低传导损耗和开关损耗至关重要。
虽然还有其他建议通过重新设计镜面光学或使用同步辐射来减少EUV的功耗,但这种解决方案的优点是,您只需要更换激光模块,而不是重新设计整个机器,这使得行业更容易采用。
光泵浦激光器需要外部光源来产生激光,而电泵浦激光器则在电流通过二极管时产生光。电泵浦激光器通常更节能,因为它们直接将电能转换为激光。
在中国设厂可以更贴近客户,提供更及时的技术支持和售后服务,降低生产成本。这一趋势也加剧了国内半导体设备市场的竞争,促使国内企业不断提升技术水平和服务质量,以应对国际竞争。
随着 EUV 光刻技术彻底改变了半导体制造业,CNT 膜成为保护光掩模在掩模检查和 EUV 光刻工艺中免受污染的理想选择,同时确保芯片生产更清洁、更精确。CNT 的卓越性能使其成为 EUV 光刻技术的多功能和面向未来的材料,可减少缺陷、提高成品率,并最终实现生产更小、更快、更可靠的芯片——这是我们不断发展的技术格局的基石。
随着互连集成密度的不断提高,具有小临界尺寸 (CD) 和高纵横比 (AR) 的 TSV 的金属填充变得越来越具有挑战性和成本。因此,越来越多的趋势是研究高质量和低成本的方法来创建和填充更小、更深的 TSV,同时确保与其他芯片的出色连接,无论它们是连接到凸块、微凸块还是混合键合。
越来越多的应用场景开始采用3D视觉技术来替代或补充传统的2D视觉方案,这一趋势在智能家居中同样明显。尽管3D视觉技术的研发与应用门槛相对较高,但其带来的性能提升和技术进步使得行业内的研究与投资不断加大,加速了从2D向3D转变的过程。
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