迈向高端！长鑫存储DDR4或将停产、转向DDR5与HBM
近日有消息称，中国本土存储龙头企业长鑫存储（CXMT）计划逐步停产DDR4内存产品，转而全面聚焦新一代内存技术DDR5和高带宽内存（HBM）领域，以抢占AI时代的新一轮产业风口。
据行业媒体最新报道，长鑫存储将在2024年第三季度发布DDR4产品生命周期终止（EOL）通知，最迟于2026年上半年全面停止DDR4供货。尽管官方尚未正式公告，但据下游渠道反馈，长鑫DDR4的市场供应已出现明显收缩，部分规格已趋近断供。
报道指出，未来长鑫将不再推进标准DDR4产品开发，仅保留部分DDR4产线，为合作伙伴兆易创新提供定制化代工服务，以满足消费级市场的基础需求。
与此同时，长鑫存储已在DDR5领域实现量产突破，并正在积极开发下一代高端HBM产品，外界普遍推测为HBM3。HBM作为AI、HPC（高性能计算）与数据中心关键基础的核心组件，近年来已成为全球半导体产业的重要战略方向。长鑫此举，亦被视为其加速战略转型、锚定AI算力芯片新生态的重要信号。
DIGITIMES引述业内人士指出，此轮战略调整受国家政策导向影响显著，政府层面希望国产存储企业尽快在AI和云计算基础设施等关键领域实现“技术上破局”，以减少对海外技术依赖，提升本土高端制造能力。
事实上，国际内存巨头也正加速从DDR4向DDR5/HBM迁移。以SK海力士为例，其2024年第三季度DDR4产能比重已从第二季度的40%下降至30%，并计划于第四季度进一步下调至20%。三星和美光同样逐步削减DDR4产量，将产能转向DDR5和LPDDR5等高端产品线。
长鑫方面，早在2023年底已低调启动DDR5颗粒量产及出货，目前主流DDR4与LPDDR4X颗粒采用的是17-18nm工艺，而其正在开发的下一代15nm制程，预计将在2024年内完成技术开发，2025年下半年进入量产阶段，进一步提升产品性能与良率。
据市场研究机构Counterpoint数据显示，截至2024年，长鑫存储在全球DRAM市场中的产能占比达到13%，出货量和销售额分别占全球市场的6%和3.7%。按此发展态势推算，2025年长鑫存储的整体产能有望接近美光科技，成为全球DRAM产业格局中的关键力量。
面对AI、6G、边缘计算等新一代科技浪潮带来的数据处理挑战，存储技术正面临变革重构。长鑫存储此番聚焦DDR5与HBM的战略转向，不仅反映了市场技术演进的必然趋势，也标志着中国存储产业正加速迈入“高端突破、生态重塑”的关键时期。未来，在政策引导、市场需求和技术迭代的三重驱动下，国产存储芯片将在全球产业链中占据更加举足轻重的地位。
