芯片

2026年前两个月,中国集成电路出口额冲至433亿美元,同比暴增72.6%,出口数量达525亿颗。这个"剪刀差"背后,是中国芯片产业从"依赖进口"到"批量出海"的战略转折。六年前美国发起芯片封锁时,分析师普遍预测中国芯片将永远停留在28nm"中世纪",如今数据证明中国不仅活了下来,更开始在全球市场展现竞争力。
AI芯片迭代速度已远超数据中心建设周期,这一市场现实正给整个AI赛道敲响警钟,而Oracle的债务扩张模式更让风险雪上加霜。
眼下,存储芯片的涨价潮已持续很久。TrendForce(集邦咨询)的存储器产业调查显示,今年一季度常规DRAM(动态随机存取存储器)合约价的季度增幅将从1月初公布的55%~60%提升为90%~95%,NAND Flash(非易失性闪存存储器)合约价的季度增幅从33%~38%上调至55%~60%,并且不排除仍有进一步上行空间。
据韩国经济日报报道,英伟达计划在今年下半年推出下一代AI加速器Vera Rubin。该产品将采用三星电子和SK海力士提供的第6代高带宽内存HBM4,而全球第三大内存厂商美光被排除在Vera Rubin的HBM4供应链之外。
新质生产力稳步发展,科技创新成果丰硕,人工智能、生物医药、机器人、量子科技等研发应用走在世界前列,芯片自主研发有了新突破,国产大模型引领全球开源生态。
据 DigiTimes 最新行业报告,AI 驱动的存储芯片需求已使 DRAM 市场进入 “小时级定价” 的生存博弈:价格每小时跳涨,中小企业若无法即时下单并支付预付款,订单可能在几分钟内出现巨大变动。
随着显卡供应在 2025 年年中左右开始趋于正常,专家和分析师开始警告称,由于人工智能数据中心对高带宽内存和企业级存储的巨大需求,内存和存储芯片将出现短缺。
据韩媒thelec最新报道,三星电子对外披露了其下一代DRAM设计的具体细节,此设计整合了多项前沿新技术,意在突破传统内存扩展所面临的局限。
展望2026年,存储芯片价格有望延续强势上行态势。本轮由AI结构性需求驱动的上行周期或将延续至2027年,核心逻辑在于AI需求具备较强刚性与持续性,叠加主要厂商产能扩张相对审慎,行业供需偏紧格局短期内难以得到根本性改善。
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