Counterpoint发布2026年Q2全球DRAM与HBM市场份额报告
9月2日，市场研究机构Counterpoint Research发布全球DRAM与HBM市场份额季度追踪报告，揭示了存储芯片市场在人工智能算力需求驱动下的剧烈格局变动。
在DRAM市场，三星电子于2026年第二季度以38%的市场份额稳居全球第一，这已是其连续第三个季度保持领先地位。回顾过去五个季度的走势，三星的份额从2025年第二季度的33%起步，经过2025年第三季度的33%、2025年第四季度的36%、2026年第一季度的38%，最终在2026年第二季度维持在38%的高位，呈现出一条清晰的上行曲线。
SK海力士的DRAM市场份额则经历了相反的轨迹。该公司在2025年第二季度曾以39%的份额位居全球第一，但随后逐季下滑，2025年第三季度降至33%，第四季度进一步收缩至32%，2026年第一季度跌至29%，到2026年第二季度仅为25%。这意味着在一年时间内，SK海力士的DRAM市场份额从领先三星6个百分点，转变为落后三星13个百分点。
美光科技的DRAM份额相对稳定，2025年第二季度为22%，第三季度上升至26%，第四季度回落至22%，2026年第一季度和第二季度分别维持在22%和24%。虽然美光未能撼动前两名的位置，但其份额在2026年第二季度已接近SK海力士，两者差距缩小至仅1个百分点。
中国厂商长鑫存储（CXMT）的崛起尤为引人注目。其DRAM市场份额从2025年第二季度的4%起步，2025年第三季度增长至5%，第四季度和2026年第一季度均达到8%，到2026年第二季度已攀升至10%。这意味着在一年时间内，长鑫存储的DRAM市场份额实现了翻倍以上的增长，从行业边缘逐步逼近主流阵营。
翻倍增长的背后，既有中国本土市场国产替代需求的强劲拉动，也有全球供应链重构带来的战略窗口。在地缘政治持续紧张的背景下，中国下游客户加速将订单转向本土供应商，以降低对海外厂商的依赖，这为长鑫存储提供了稳定且规模可观的需求基本盘。
与此同时，长鑫存储在制程技术和产能扩张上持续投入，逐步从DDR4向DDR5等更先进产品迭代，产品竞争力显著提升。值得注意的是，2026年第二季度长鑫存储营收同比增长高达716%，远超行业平均水平，这一增速不仅反映了其产能释放的节奏，也表明其正在从边缘参与者向主流供应商加速转型。
总体而言，从市场规模来看，2026年第二季度的DRAM市场呈现出爆发式增长态势，环比增长57%，同比增幅更是达到385%。这一增速反映出AI基础设施建设和数据中心扩张对存储芯片需求的强劲拉动。
SK海力士守住第一
在更细分的高带宽内存（HBM）市场，格局变动同样剧烈。SK海力士在2026年第二季度以50%的市场份额继续保持全球第一，但相比2025年第二季度的64%已出现明显下滑。回顾其五个季度的走势，SK海力士的HBM份额从2025年第二季度的64%降至第三季度的56%，第四季度小幅回升至57%，2026年第一季度达到58%的近期高点，随后在第二季度回落至50%。
三星在HBM市场的追赶势头尤为迅猛。其HBM份额从2025年第二季度的15%起步，2025年第三季度跃升至23%，第四季度微调至22%，2026年第一季度回落至21%，到2026年第二季度则大幅攀升至33%。这意味着三星在一年内将其HBM市场份额提升了18个百分点，与SK海力士的差距从49个百分点缩小至17个百分点。
美光的HBM份额则相对稳定，在2025年第二季度至2026年第一季度期间始终维持在21%左右，到2026年第二季度小幅下降至18%。
从产品结构来看，当前HBM市场的大部分收入仍来自HBM3E。HBM4的出货量预计在2026年下半年才会逐步显现。三星作为首家向英伟达出货HBM4的供应商，其市场份额有望随着HBM4的大规模出货而进一步提升。
三星与SK海力士此消彼长
这两家韩国厂商在产品结构、定价策略与客户绑定方式上存在显著差异。Counterpoint研究总监黄敏成分析指出，SK海力士此前在HBM领域占据绝对领先，其HBM出货量和收入占比均高于竞争对手，因此在HBM价格出现阶段性下降时，受到的冲击也更为明显。
更为关键的是，SK海力士较早与下游客户签订了大量长期供货协议（LTA），在存储价格快速上涨的周期中，这些早期锁定的合同价格显著低于当前市场价格，导致其阶段性无法充分享受涨价红利。
反观三星，其在通用DRAM领域的深厚根基使其能够充分受益于传统内存价格的飙升，同时HBM市场份额从2025年第二季度的15%跃升至2026年第二季度的33%，HBM4率先通过英伟达认证并开始出货，为其整体收入注入了强劲动能。此外，三星在2026年第二季度实现了约五倍的DRAM业务收入同比增长，增速超越SK海力士，这直接反映在了市场份额的重新排序上。
存储产业链持续重构
展望下半年及2027年，几个关键变量将决定市场走向。首先是HBM4的放量进度，随着三星HBM4出货在下半年逐步显现，HBM市场的竞争格局可能进一步重塑。其次是产能分配问题，HBM消耗的晶圆面积远高于传统DRAM，对普通DRAM供给形成了严重的"挤出效应"，这意味着消费级DRAM和智能手机内存的供给紧张局面难以缓解。最后是地缘政治因素，美国对华出口管制持续制约中国HBM产业发展，但长鑫存储等中国厂商在传统DRAM领域的快速扩张，正在改变全球存储市场的竞争版图。
对于三星、SK海力士和美光而言，AI服务器需求已成为决定未来市场排名的关键变量。随着HBM4竞争全面展开，DRAM市场的竞争重点将从传统存储周期，转向先进存储技术、客户绑定能力以及产能布局的综合较量。而对于下游的PC、智能手机和数据中心客户来说，内存成本的持续上升正在深刻改变产品设计和定价策略，一场由AI驱动的全产业链重构仍在继续。
