Q3利润创历史纪录，全年狂赚超过去40年总和！存储市场继续“狂飙”
电子发烧友网报道（文/黄山明）当下，存储行业正在经历一轮由AI算力军备竞赛直接引爆的“结构性超级周期”，尤其是HBM与DDR5等高端产品受AI影响爆发带来的庞大需求，导致传统DRAM产能被大量挤占，全品类存储芯片价格暴涨。
而这也为存储企业带来了惊人的业绩，据《首尔经济日报》引述FnGuide数据，三星全年营业利润预期有望冲到约270万亿韩元（约1928亿美元），一年利润超过过去40年总和。与此同时，三星与SK海力士近期发布的三季报预期均创下了历史新纪录。
“炸裂”的业绩预期
据韩国媒体近期援引FnGuide汇总的数据显示，三星电子Q3营业利润预计111.8万亿韩元，SK海力士78.08万亿韩元，两者合计189.9万亿韩元（约1390亿美元），双双刷新单季历史纪录。
其中，三星Q3利润接近去年全年（43.6万亿韩元）的2.6倍，SK海力士单季利润一举超过2024至2025两年营业利润之和（70.67万亿韩元）。189.9万亿韩元是什么概念，已经约等于韩国中央政府全年总预算的28%。
更夸张的是，报道显示，三星全年营业利润预期有望达到270万亿韩元，一年的利润就超过过去40年总和。当然，这与三星HBM4的放量有直接关系。
尽管三星在HBM3时代曾被SK海力士压制，但在HBM4上却发起了强势的反攻。当前三星成功切入英伟达新一代计算平台订单，拿下约30%份额，另外70%为SK海力士占有，而三星的目标是下半年将HBM全球市占率提升至与其DRAM市占率（38%）相当的水平，瑞银预测2027年三星以41%微弱反超SK海力士39%。
今年7月底，三星明确预测，Q3的HBM4销售额将环比增长2倍以上，下半年HBM4销售额将占HBM总销售额的60%以上。
通过追踪韩国海关数据中的“多芯片存储”出口指标可以发现，三星大本营忠清南道7月出口额达22亿美元，环比暴增122%。并且其单位重量货值环比暴涨21%，几乎是SK海力士的4倍，证明了三星正在大规模出货价值更高的HBM4。
另一边，SK海力士也在近期动作频频，其在美国印第安纳的先进封装厂已经于8月底奠基，总投资超40亿美元。洁净室2028年下半年运营，HBM4E量产锁定2029年Q3，目标到2030年成为美国HBM核心生产基地，最终产能达每年数十万片晶圆。
此外，据路透社援引三位知情人士称，SK海力士正与英特尔讨论首次在美国本土制造内存芯片，方案包括租用英特尔俄亥俄州晶圆厂部分产能，或由SK海力士、英特尔及希望锁定内存供应的大型云计算企业共同组建合资公司。
同时，SK海力士旗下NAND闪存子公司Solidigm正考虑2027年在美股IPO，估值或高达1500亿美元，若成行有望刷新美股半导体IPO历史纪录。而Solidigm主营NAND闪存和企业级SSD，是AI数据中心高容量存储的核心供应商。
供需缺口创15年新高，存储芯片步入“高价新常态”
尽管两大存储巨头的业绩不断创下新高，但从市场端来看，由于AI的需求量增速达到26%，但供给端的增速仅为21%，已经成为近15年来最大的供需缺口。同时，DRAM和NAND库存仅剩约4周，远低于安全水平。
并且，新增晶圆厂从建设到投产至少需1.5年，SK海力士内部文件显示新增产能最快2028年才能释放。SK海力士CEO明确表示，存储芯片供应短缺预计将持续至2030年底。市场更是传出存储涨价信号已传导至整机，DDR5 SO-DIMM 12个月涨价约6倍。
为了锁定产能，不少厂商开始选择与存储原厂签订长期协议（LTA）。SK海力士已与约10家客户完成LTA谈判，合同期限约5年，包含定金或履约保障机制。美光也披露LTA涉及DRAM的20%和NAND的20%以上，按最低价格未来5年可产生1000亿美元收入。
另一方面，由于三星、SK海力士、美光三家都将DRAM产能优先分配给HBM3/HBM3E/HBM4，直接挤压了DDR5在消费级和企业级市场的供给。如果这一动态持续到2027年，不仅消费系统涨价，AI推理在边缘侧的情况也将改变，因为LPDDR6的普及同样依赖存储厂商在不进一步蚕食DDR5供给的前提下开出新节点。
这已经开始影响到了消费级市场商品的供给，例如德国高端笔记本品牌XMG此前发布公告称，自2025年7月以来，笔记本DDR5 SO-DIMM采购价格上涨了近6倍，台式机DDR5同期涨幅约500%。XMG被迫将全系游戏本涨价100至300欧元（约774至2320元人民币），搭载RTX 5090的配置额外再加120欧元。
同时，PCB、CPU、显卡、GDDR显存等成本也在同步上涨，中东局势推高的海运保险费进一步雪上加霜。这意味着云厂商通过LTA锁定供给，而OEM将成本转嫁给整机价格，而普通消费者和企业客户则承受现货市场的全部波动。
因此，有机构预计三星Q3 DRAM ASP将环比上涨16.5%，好消息是，Q4增幅将收窄至5.4%，原因在于LTA合同在价格上行期也限制了利润上限。
市场也开始陷入了分化，上文提到美光CEO认为DRAM短缺将持续到2027年之后，而华硕CEO陈俊圣则直言零部件价格2027年下半年就会回落，芯片厂商的长期看涨言论不排除是为了尽可能延长高毛利周期。
不过随着三星平泽P4、SK海力士龙仁Y2等新产能逐步释放，2027年HBM占DRAM总投片比例将升至约35%，对通用DRAM的挤压有望达到顶峰，有机构测算2027年按比特口径供需缺口超过10个百分点。
有趣的是，目前多数机构都认为，存储市场未来不会出现2019年式的崩盘，而是高位横盘。因为LTA长单锁住了服务器存储价格底部，而消费级产品涨幅放缓但难有大幅回落。
总结
这不仅仅是一个存储涨价周期，AI正在将存储芯片从过去的强周期大宗商品，重塑为AI时代的长期基础设施。三星与SK海力士合计近190万亿韩元的季度利润只是表象，真正值得关注的是LTA、美国本土化布局和HBM4代际切换正在从根本上改写这个行业的估值逻辑和竞争格局。
