存储荒“锁死”全球供应链！英特尔CEO预警短缺将持续至2028年
近段时间来，一场席卷全球的存储芯片短缺危机正愈演愈烈，其持续时间之长、影响范围之广，远超市场预期。
进入2月，英特尔首席执行官陈立武在思科AI峰会上抛出重磅预警：全球存储芯片短缺局面至少将持续至2028年，这一时间线较此前行业预测再度拉长，给依赖存储芯片的科技产业蒙上一层厚重阴影。
这并非危言耸听。当前，人工智能产业的爆发式增长正掀起一场史无前例的“算力军备竞赛”，数据中心的扩张速度呈指数级攀升，直接引爆了存储芯片的需求。
陈立武直言，英伟达即将推出的新一代人工智能加速器Vera Rubin平台，将成为压垮存储供应链的又一根“稻草”，因为该平台“会消耗海量存储芯片”，进一步加剧供需失衡。
事实上，这场短缺危机早已呈现出“结构性失控”的特征。全球EDA和半导体IP龙头新思科技首席执行官Sassine Ghazi也发出警示，他指出存储芯片紧缺态势将贯穿2026-2027年，核心原因在于三星、SK海力士、美光科技等头部厂商的产能，正被AI基础设施需求“疯狂吞噬”。
为满足高带宽存储器（HBM）这类AI大模型必需组件的生产，三大存储巨头不得不将大量产能从传统DRAM和NAND Flash转向HBM，而HBM每比特容量消耗的晶圆产能，是传统DRAM的3倍之多。
供需缺口的持续扩大，直接催生了存储芯片价格的“超级暴涨周期”。集邦咨询（TrendForce）在最新报告中，全面上修2026年第一季度存储芯片价格涨幅：整体Conventional DRAM合约价季涨幅从55-60%飙升至90-95%，NAND Flash合约价季涨幅也从33-38%上调至55-60%，且不排除进一步上调的可能。
细分市场更甚，该机构预计PC DRAM价格季涨幅将突破100%，Server DRAM、Mobile DRAM价格涨幅也逼近90%，均创下历史新高。
在这样的背景下，存储市场的“卖方霸权”已然成型。分析师普遍认为，三星与SK海力士主导的卖方市场格局将长期延续，下游厂商不仅面临成本飙升的压力，更要为争夺配额展开激烈竞逐。
反映在资本市场上，美股存储板块已率先沸腾，西部数据追加40亿美元回购额度后股价大涨7.4%，闪迪股价上涨4.55%，双双刷新历史高点——资本用脚投票，印证了存储芯片的稀缺价值。
面对这场旷日持久的存储荒，英特尔选择主动破局。陈立武在峰会上同时宣布，公司将正式进军由英伟达垄断的GPU市场，这一决策被外界视为英特尔的“战略突围之战”。
据悉，英特尔已从高通挖来GPU专家Eric Demers担任高级副总裁，主导GPU设计；该项目由英特尔数据中心部门执行副总裁Kevork Kechichian统筹，后者正是去年从Arm跳槽而来的行业资深人士。
英特尔的野心不止于此。陈立武强调，GPU开发与数据中心业务深度绑定，公司将通过自主设计GPU，强化在人工智能半导体领域的话语权。与此同时，英特尔的晶圆代工业务也在加速推进，其14A制程技术（1.4纳米级先进工艺）已吸引多家客户合作，试图借先进制造能力重振昔日荣光。
值得注意的是，当前GPU市场呈现高度垄断态势，英伟达凭借超80%的人工智能加速器市场份额，牢牢掌控着行业话语权，且包括英伟达在内的主流AI芯片厂商，大多依赖台积电代工。英特尔此时切入GPU赛道，不仅要直面技术壁垒，更要挑战台积电的代工霸权，这场突围战注定荆棘丛生。
从行业周期来看，过去存储芯片市场总是在“短缺-过剩”之间循环，但这一轮由AI驱动的需求，被普遍认为具有结构性和持久性。
也许正如Sassine Ghazi所言，“现在对存储芯片厂商来说，是一个黄金时代”，但对全球电子产业供应链而言，这场始于AI的存储荒，带来的挑战才刚刚开始。
