存储市场为何“超”了又“超”？
昨日，美股科技股多数下跌，半导体板块普跌，其中，存储芯片股同步走低，闪迪跌近10%，西部数据跌超5%，美光科技跌超5%，这恐怕也是全球存储市场超涨后的正常回落。
近日，闪存龙头企业闪迪宣布，11月调涨NAND闪存合约价格，高达50%的超级涨幅再次引起行业震荡。三星电子、SK海力士、西部数据等全球存储芯片巨头相继发布最新季度财报，业绩远超预期。
摩根士丹利新近研报指出，AI驱动下存储行业供需失衡加剧，预计将开启持续数年的“超级周期”，到2027年全球存储市场规模有望向3000亿美元迈进。这个预测与其在2024年9月给出的存储行业“凛冬将至”出入极大，彼时，摩根士丹利预判2024年第四季度行业就会显露颓势，2025年开启下一轮周期性下滑。从“超级涨价”到“业绩超涨”到“超级周期”，全球存储市场“超”了又“超”的背后，既有行业巨头“有形的手”主观调控的原因，也是市场“无形的手”按需调节的结果，而最终这一波“超级周期”究竟会给下游产业带来什么样的变化，又会如何影响存储市场格局，相信结果也会是“超”乎想象的。
存储芯片的周期性正被重塑
今年，存储芯片市场的涨势一路高歌猛进，从HBM到DDR4 DRAM、NAND，全品类产品齐涨，且涨幅持续突破市场预期，终端市场与资本市场形成强烈共振。三星、SK海力士、美光等头部企业今年以来实施的价格和产能双调控，制造出的供需错配效应越发明显，产品出货量和价格大幅提升，存储芯片板块在11月的涨价势头更是达到年内峰值，甚至涨幅超过此前暴涨的黄金。
从产品分类角度来看，HBM作为AI服务器的核心存储部件，价格涨幅惊人。11月5日，SK海力士宣布与英伟达就2026年HBM4供应完成谈判，单价确认约为560美元，较当前供应的HBM3E（约370美元）涨价超50%，且超出此前业内普遍预期的500美元上限10%以上。作为全球HBM市场的龙头企业，SK海力士在2025年第二季度以62%的出货量占据市场首位，其定价策略直接引领行业价格走向。
在DRAM领域，根据CFM闪存市场数据，2025年上半年DRAM综合价格指数飙升47.7%，这一涨幅已超过此前市场对全年涨幅的初始预期。进入第三季度，涨价节奏明显加快，9月DRAM价格环比涨幅达12%~15%。除了原厂直接调价，供应链环节的短缺进一步放大了价格波动。11月3日，三星电子率先暂停10月DDR5 DRAM合约报价，引发SK海力士、美光等存储原厂纷纷跟进，恢复报价时间延后至11月中旬，受此影响，短短一周内DDR5现货价格飙升25%。中信证券研报预测，三大存储原厂此次暂停报价将导致DDR5价格季度涨幅达到30%~50%。传统DDR4产品虽已逐步退出主流产能，但供应短缺导致价格“逆势上涨”，16GB DDR4内存条价格较去年同期涨幅超过200%。
闪迪的存储产品（图片来源：闪迪官网）
NAND闪存市场同样呈现全面上涨态势，不同规格产品涨幅分化明显，终端市场呈现“一天一价、有价无货”的景象。根据CFM闪存市场数据，2025年上半年全球NAND Flash综合价格指数上涨了9.2%；9月NAND环比涨幅扩大至8%~10%；11月，通用型NAND价格上调5%~10%，而高容量企业级NAND价格涨幅达到12%以上。闪迪的11月NAND闪存合约价单次暴涨50%，截至目前年内累计涨幅已高达75%，创下存储行业单产品单月调涨的历史最高纪录。
存储芯片板块今年以来的周线行情（图片来源：同花顺官网）
资本市场对存储芯片行业的高景气度反应强烈，A股存储芯片板块自2025年7月以来持续走强，11月6日板块再度大幅上涨，香农芯创单日涨超9%；11月7日，受SK海力士供应价格上涨消息刺激，香农芯创盘中最高触及184.88元，收盘170元，当日涨幅达5.54%。同时，11月以来融资资金积极加仓该板块，江波龙、德明利、兆易创新等6只个股月内融资净买入均超1亿元，资金的流入进一步支撑了板块个股的上涨态势。
截至11月13日，A股存储芯片板块总市值突破5.33万亿元，近4个月存储器指数累计涨幅超35%，其中龙头企业江波龙年初至今股价累计涨幅达260.47%，市值突破千亿元，最高达1367亿元。从业绩表现来看，江波龙2025年第三季度实现营业收入65.39亿元，同比增长54.6%，环比增长10.09%；实现归母净利润6.98亿元，同比大幅增长1994.42%，环比增长318.94%。值得注意的是，第三季度DRAM价格较去年同期暴涨171.8%，这一涨幅不仅远超同期大宗商品价格涨幅，甚至超过黄金等避险资产。
AI需求与产能重构成核心驱动力
专家表示，本轮存储芯片涨价潮的核心原因在于AI算力主导的需求端多领域需求爆发式增长，与供给端头部厂商的产能收缩、结构转移形成共振。
在需求端层面，AI算力需求的爆发式增长成为关键增长引擎，AI技术的快速发展不仅催生了海量的算力GPU需求，对存储的容量、带宽、延迟等性能指标提出了更高要求，直接拉动了HBM、高端DDR5等高性能存储产品的需求激增。以Open AI为代表的AI巨头对存储芯片的采购规模巨大，拉动了服务器内存市场的需求，直接推动内存整体价格走高。除了Open AI，全球科技巨头均在加码AI基础设施投入，英伟达、亚马逊、谷歌和AMD这四家自主研发AI芯片的公司占据了HBM需求的95%，国内阿里巴巴、百度、字节跳动、腾讯等科技巨头也在大力增加资本支出规模，重点投入算力芯片和数据中心建设，进一步放大了存储需求缺口。Trendforce预计2026年全球八大CSP云服务提供商资本支出将同比增长24%至5200亿美元，持续带动算力芯片与存储需求增长。
SK海力士的产品组合（图片来源：SK海力士官网）
除了AI需求之外，消费电子、新能源汽车、工业电子等传统与新兴市场需求同步回暖，形成“多点开花”的需求格局。智能手机市场在经历两年调整后，2025年第三季度全球智能手机出货量同比增长12%，各大厂商集中推出新品刺激市场，新机平均存储容量从256GB升级至512GB，LPDDR5X渗透率超70%，部分旗舰机型甚至配备1TB、2TB存储，直接拉动移动存储需求增长；PC市场虽整体出货量仍处于低位，但AI PC的推出带动高端机型需求增长，8GB内存已成为入门配置，16GB、32GB内存机型占比快速提升。在新能源汽车领域，当前L3级自动驾驶车型的DRAM用量已达10GB以上，NAND用量达200GB以上，随着新能源汽车渗透率提升和自动驾驶技术普及，车规级存储需求持续高速增长。
在供给端层面，全球存储市场呈现高度垄断格局，三星、SK海力士、美光三大巨头垄断了全球超90%的DRAM产能，三星、SK海力士、铠侠、美光四大厂商占据全球NAND产能的85%以上，为应对此前三年的市场下行周期，头部厂商自2024年下半年起陆续启动减产计划，2025年上半年减产力度进一步加大，三星NAND产量最高削减50%，美光NAND产能减少30%，SK海力士DRAM产能削减15%。
此外，头部厂商正加速推进产能结构性转移，将有限的产能向高利润、高附加值的产品倾斜，逐步放弃低利润的传统制程产品，进一步加剧了传统产品的供应短缺。在AI需求的推动下，HBM、DDR5等高端产品成为厂商重点布局方向，SK海力士预计到2026年，HBM晶圆加工量将占其所有产品晶圆加工量的最大比重，目前已将30%的晶圆产能分配给HBM；三星将1Z制程DDR4生产线缩减至一条，仅维持至2027年年底，同时大幅提升DDR5和HBM的产能占比；美光则计划2025年年底停止DDR4生产，将产能转向工业与车用市场的高端存储产品。在NAND领域，四大存储龙头今年下半年都纷纷削减NAND闪存供应量，一方面通过调节供应推动价格上涨，另一方面随着AI需求推动更多产线转向四层单元（QLC）工艺，传统TLC工艺产能也在下降。
全球库存水平已经处于历史低位，TechInsights 10月份的统计数据显示，2025年第三季度DRAM平均库存降至8周，低于去年同期的10周，部分细分产品库存周期甚至降至6周，低于45~50天的正常库存水平；NAND闪存库存周转天数也从2023年年底的65天降至当前的38天，处于历史低位。库存不足导致产业链各环节“补库存”需求强烈，模组厂、分销商为应对涨价和缺货，纷纷加大采购力度，产业链博弈也推动了价格上涨，闪迪大幅调涨NAND闪存合约价格，其涨价消息导致创见（Transcend）、宜鼎国际（Innodisk）与宇瞻科技（Apacer Technology）等模组厂决定暂停出货并重新评估报价。其中，创见自11月7日起暂停报价交货，理由为“预期市场行情将继续向好”。
展望未来，随着AI服务器、数据中心等核心场景的需求持续释放，HBM、DDR5 DRAM等高端产品的增长潜力仍将持续兑现，全球存储市场前景光明。但需注意，行业高度垄断的格局与技术路线的快速迭代，仍可能带来供需波动的不确定性。对于产业链企业而言，把握机遇、平衡产能与库存管理，将成为核心关键点；而资本市场对板块的热捧，也需回归到企业盈利兑现与行业长期发展逻辑之上。这场存储行业的“超级周期”，既是机会，也是对行业韧性的考验。
