SK 海力士成功开发基于 321 层 NAND 闪存的 UFS 4.1 解决方案产品
IT之家
5月22日消息，SK海力士今日宣布，公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存的移动端解决方案产品UFS 4.1。
SK海力士表示：“为了在移动设备上实现端侧（On-device）AI的稳定运行，所搭载的NAND闪存解决方案产品必须兼具高性能与低功耗特性。依托这款对AI工作负载优化的UFS 4.1产品，公司将进一步巩固其在旗舰智能手机市场中的存储器技术领导地位。”
据介绍，随着端侧AI的需求持续增长，终端设备的计算性能与电池效率之间的平衡日趋关键，超薄设计和低功耗特性已成为移动设备的行业标准。
顺应这一趋势，公司此次开发的新品较上一代基于238层NAND闪存的产品能效提升了7%。同时，成功将产品厚度从1mm减薄至0.85mm，使其能够适配超薄智能手机。
IT之家查询获悉，该产品支持第四代UFS产品的顺序读取峰值，数据传输速率高达4300MB/s。决定移动设备多任务处理能力的随机读取和写入速度，相较上一代产品分别提升了15%与40%，达到现存UFS 4.1产品中全球领先水平。
该产品提供512GB和1TB两种容量规格。公司计划于今年内向客户交付样品以进行验证流程，并将于明年第一季度正式进入量产阶段。
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