全球首发：SK 海力士开始量产 321 层 QLC NAND 闪存
IT之家
8月25日消息，SK海力士公司宣布其321层2Tb QLC NAND闪存产品已完成开发并正式投入量产。这一成果标志着全球首次实现超过300层的QLC技术应用，为NAND存储密度树立了新的标杆。该公司计划在完成全球客户验证后，于明年上半年正式推出该产品。
为提升新产品的成本竞争力，SK海力士开发了一种容量为2Tb的设备，其容量是现有解决方案的两倍。为应对大容量NAND可能出现的性能下降问题，公司还将芯片内的平面（plane）数量从4个增加到6个。平面是芯片内独立操作单元，这一改变使得并行处理能力得到增强，显著提升了同步读取性能。
因此，与之前的QLC产品相比，321层QLC NAND在容量和性能上都有显著提升。数据传输速度翻倍，写入性能最高提升56%，读取性能提升18%。此外，写入功耗效率提高了23%以上，在对低功耗要求极高的AI数据中心领域，其竞争力得到进一步加强。
据IT之家了解，SK海力士计划首先将321层NAND应用于PC固态硬盘，随后拓展至数据中心的企业级固态硬盘（eSSD）和智能手机的UFS。借助其独有的32DP技术，该技术可在单个封装内同时堆叠32个NAND芯片，SK海力士有望通过实现两倍的集成密度，进军超高容量eSSD市场，为AI服务器提供服务。
“随着量产的开始，我们在高容量产品组合方面显著增强了实力，并确保了成本竞争力。”SK海力士NAND开发部门负责人Jeong Woopyo表示，“我们将随着数据中心市场对AI需求的爆炸性增长以及高性能要求的提升，作为全栈AI存储提供商实现重大飞跃。”
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